特許
J-GLOBAL ID:200903095580159121
短光パルス発生装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
志賀 正武
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-113452
公開番号(公開出願番号):特開平6-326391
出願日: 1993年05月14日
公開日(公表日): 1994年11月25日
要約:
【要約】【目的】 必要とされる超高速の繰り返しで、ピークパワーが十分に大きく、デューティ比が小さく、かつ完全にトランスフォームリミットな短光パルスを発生させることができる短光パルス発生装置を提供する。【構成】 単一縦モードの光パルスを発生する半導体レーザ12と、半導体レーザ12をゲインスイッチ動作させる発振器3と、発振器3からの出力信号を逓倍する逓倍器13と、逓倍器13からの出力信号により駆動され半導体レーザ12から出力される光パルスの非線形チャープ成分を削除する吸収型半導体変調器4と、吸収型半導体変調器4から出力する光パルスのパルス幅を圧縮する正常分散光媒質14とを具備したことを特徴とする。また、前記半導体レーザ及び吸収型半導体変調器は集積化してもよい。
請求項(抜粋):
単一縦モードの光パルスを発生する半導体レーザと、該半導体レーザをゲインスイッチ動作させる発振器と、該発振器からの出力信号を逓倍する逓倍器と、該逓倍器からの出力信号により駆動され、前記半導体レーザから出力される光パルスの非線形チャープ成分を削除する吸収型半導体変調器と、該吸収型半導体変調器から出力する光パルスのパルス幅を圧縮する正常分散光媒質とを具備したことを特徴とする短光パルス発生装置。
IPC (4件):
H01S 3/103
, G02F 1/015 502
, H01L 27/15
, H01S 3/10
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