特許
J-GLOBAL ID:200903095580548004

誘電体磁器組成物、電子部品およびそれらの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田 均 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-280188
公開番号(公開出願番号):特開2001-097772
出願日: 1999年09月30日
公開日(公表日): 2001年04月10日
要約:
【要約】【課題】 非酸化性雰囲気で1200°C以下の温度での焼成が可能であるにもかかわらず、高い誘電率を有する誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供することと、低温焼成が可能で、しかも絶縁抵抗の加速寿命が向上されたチップコンデンサなどの電子部品を提供すること。【解決手段】 {{Ba<SB>(1-x) </SB>Ca<SB>x </SB>}O}<SB>A </SB>(Ti<SB>(1-y)</SB>Zr<SB>y</SB>)<SB>B </SB>O<SB>2 </SB>で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、Sr,Y,Gd、Tb,Dy,V,Mo,Zn,Cd,Ti,Sn,W,Mn,SiおよびPの酸化物および/または焼成後にこれらの酸化物になる化合物から選ばれる1種類以上を含む副成分とを有し、前記副成分が、組成物全体に対して、酸化物換算で、0.001〜5%含まれ、前記主成分を示す式中の組成比を示す記号A,B,x,yが、0.990≦A/B<1.000、0.01≦x≦0.25、0.1≦y≦0.3の関係にあることを特徴とする誘電体磁器組成物。
請求項(抜粋):
{{Ba<SB>(1-x) </SB>Ca<SB>x </SB>}O}<SB>A </SB>(Ti<SB>(1-y)</SB><SB></SB>Zr<SB>y</SB>)<SB>B </SB>O<SB>2 </SB>で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、Sr,Y,Gd、Tb,Dy,V,Mo,Zn,Cd,Ti,Sn,W,Mn,SiおよびPの酸化物および/または焼成後にこれらの酸化物になる化合物から選ばれる1種類以上を含む副成分とを有し、前記副成分が、組成物全体に対して、酸化物換算で、0.001〜5モル%含まれ、前記主成分を示す式中の組成比を示す記号A,B,x,yが、0.990≦A/B<1.000、0.01≦x≦0.25、0.1≦y≦0.3の関係にある誘電体磁器組成物。
IPC (5件):
C04B 35/49 ,  H01B 3/12 303 ,  H01B 3/12 335 ,  H01B 3/12 338 ,  H01G 4/12 358
FI (5件):
H01B 3/12 303 ,  H01B 3/12 335 ,  H01B 3/12 338 ,  H01G 4/12 358 ,  C04B 35/49 Z
Fターム (63件):
4G031AA01 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA13 ,  4G031AA17 ,  4G031AA18 ,  4G031AA19 ,  4G031AA24 ,  4G031AA26 ,  4G031AA30 ,  4G031AA31 ,  4G031AA33 ,  4G031BA09 ,  4G031CA03 ,  5E001AB03 ,  5E001AC03 ,  5E001AC09 ,  5E001AD03 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH05 ,  5E001AH06 ,  5E001AH08 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5G303AA01 ,  5G303AB01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB14 ,  5G303AB15 ,  5G303AB20 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB07 ,  5G303CB16 ,  5G303CB18 ,  5G303CB24 ,  5G303CB30 ,  5G303CB31 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35 ,  5G303CB36 ,  5G303CB37 ,  5G303CB38 ,  5G303CB39 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41 ,  5G303CB43 ,  5G303DA04 ,  5G303DA06

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