特許
J-GLOBAL ID：200903095582277008

コンデンサ用二軸配向ポリエステルフィルム

発明者：
目黒 義男

目黒 義男 について


出願人/特許権者：
ダイアホイルヘキスト株式会社

ダイアホイルヘキスト株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-096995
公開番号（公開出願番号）：特開平10-287752
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：
【要約】【課題】 蒸着工程での熱負け等のトラブルを起こすことなく、かつ得られたコンデンサが高度な耐電圧特性と絶縁抵抗特性を有し、コンデンサの小型化と信頼性向上に寄与することができるポリエステルフィルムを提供する。【解決手段】 ハロゲン化ケイ素を高温気相加水分解することによって得られる、平均粒径(d50)0.1〜2.0μmの微細シリカ粒子を0.1〜2.0重量%含有し、フィルムの表面粗度が下記式(1)〜(3)を同時に満足するコンデンサ用二軸配向ポリエステルフィルム。【数1】0.015≦RMS≦0.040 ...(1)0.010≦SRa≦0.030 ...(2)0.350≦P-V≦0.600 ...(3)(上記式中、RMSは自乗平均平方根粗さ(μm)、SRaは中心面平均粗さ(μm)、P-Vは最大粗さ(μm)を表す)
請求項（抜粋）：
ハロゲン化ケイ素を高温気相加水分解することによって得られる、平均粒径(d50)0.1〜2.0μmの微細シリカ粒子を0.1〜2.0重量%含有し、フィルムの表面粗度が下記式(1)〜(3)を同時に満足するコンデンサ用二軸配向ポリエステルフィルム。【数1】0.015≦RMS≦0.040 ...(1)0.010≦SRa≦0.030 ...(2)0.350≦P-V≦0.600 ...(3)(上記式中、RMSは自乗平均平方根粗さ(μm)、SRaは中心面平均粗さ(μm)、P-Vは最大粗さ(μm)を表す)
IPC (6件)：
C08J 5/18 CFD ,  H01G 4/18 330 ,  B29K 67:00 ,  B29K105:16 ,  B29L 7:00 ,  C08L 67:00
FI (2件)：
C08J 5/18 CFD ,  H01G 4/18 330 A
引用特許：
審査官引用 (13件)
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