特許

J-GLOBAL ID：200903095587105493

電荷移動錯体

発明者： 青木 伸也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-228460
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077462
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 温度NI転移を示し、中性基底状態とイオン性励起状態とのエネルギー差が小さく、各種の有機薄膜素子に容易に応用可能な新規な電荷移動錯体を提供する。【構成】 4,4 ́-ジメチルテトラチアフルバレンとクロラニルとからなり、300Kと20Kとの間で中性-イオン性転移を起こす。

請求項（抜粋）：

4,4 ́-ジメチルテトラチアフルバレンとクロラニルとからなる電荷移動錯体。