特許

J-GLOBAL ID：200903095592008153

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 曽谷 直哉 ,  浜田 弘喜
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-134517
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330596
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 単結晶膜に比べて結晶性に劣ったアモルファスシリコン膜や多結晶シリコン膜を用いる薄膜トランジスタの製造方法において、シリコン膜の結晶化とシリコン膜中に含まれる不純物の活性化のための熱処理時間を短縮することを目的とする。【構成】 単結晶膜に比べて結晶性に劣ったアモルファスシリコン膜を比較的低温な400°Cで成膜した後、温度600°C、時間75hrで熱処理して、シリコン膜の結晶化と活性化とを同時におこなう薄膜トランジスタの製造方法とする。

請求項（抜粋）：

半導体膜の結晶化と活性化とを同時におこなうことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12

FI (6件)：

H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 21/265 A