特許

J-GLOBAL ID：200903095598312741

ビスマス-ストロンチウム-カルシウム-銅酸化物系超電導体の化学的蒸着方法

発明者： 七種 謙 ,  杉原 忠 ,  武下 拓夫
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-042986
公開番号（公開出願番号）：特開平6-166597
出願日： 1991年02月15日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】 低温で基板上にペロブスカイト構造のBi-Sr-Ca-Cu系超電導体薄膜を形成する。【構成】 ビスマス化合物、ストロンチウム化合物、カルシウム化合物、銅化合物、の各原料ガスと、高純度の酸化二窒素と、白金族有機化合物と、を反応室内に導入する。この反応室内には例えば650°C以下に設定した基板を設置してある。この白金は、上記各原料ガスと酸化二窒素との反応を促進する結果、基板と超電導体とが化学反応することなく、この基板上にはペロブスカイト構造のBi-Sr-Ca-Cu系超電導体薄膜が堆積、被着される。

請求項（抜粋）：

ビスマス化合物とストロンチウム化合物とカルシウム化合物と銅化合物とを含む原料ガスと、酸素供給物質と、上記原料ガスと上記酸素供給物質との反応を促進する反応助剤とを準備する工程と、反応室に置かれた基板を所定温度以下に設定する工程と、上記ビスマス化合物と、ストロンチウム化合物と、カルシウム化合物と、銅化合物と、酸素供給物質と、反応助剤とを反応室に導入し、上記反応助剤で酸化を促進しつつ、ビスマス-ストロンチウム-カルシウム-銅酸化物系超電導体を基板上に被着させる工程とを含み、上記酸素供給物質として高純度の酸化二窒素を、上記反応助剤として白金族有機化合物をそれぞれ選択したことを特徴とするビスマス-ストロンチウム-カルシウム-銅酸化物系超電導体の化学的蒸着方法。

IPC (7件)：

C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ,  C01G 29/00 ZAA ,  C23C 16/40 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA