特許
J-GLOBAL ID：200903095599191867
ゲルマニウムオンシリコンの光検出器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲葉 良幸
, 大賀 眞司
, 大貫 敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-547193
公開番号（公開出願番号）：特表2008-526003
出願日： 2004年12月24日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：
検出する光信号が一定の方向(X)に移動して閉じ込められるシリコンベースの導波路(2)と、導波路(2)を伝搬する光信号のエバネッセントテールがゲルマニウム層(4)に結合するように、シリコンベースの導波路(2)の一部に接して配置されたゲルマニウム層(4)とを備える光検出器構造体(1、1’、1”)を説明する。また、ゲルマニウム層(4)は、信号の伝搬方向(X)に沿う長さ(L)と伝搬方向(X)に実質的に直交する方向(Z)にある幅(W)とを有するメサ(10)を含み、メサ(10)の幅(W)はその長さ(L)よりも小さい。光検出器(1、1’、1”)はまた、第1の金属コンタクト(7)と第2の金属コンタクト(9a、9b)とを備え、第1の金属コンタクト(7)はゲルマニウム層(4)の上に位置し、第2の金属コンタクト(9a、9b)はシリコンベースの導波路(2)の上に位置し、第1のコンタクトおよび第2のコンタクトは光吸収によって発生した電子を集めて出力電気信号を得るのに用いられる。
請求項（抜粋）：
検出する光信号を一定の方向(X)に移動させ閉じ込めるシリコンベースの導波路(2)と、
ゲルマニウム層(4)であって、前記シリコンベースの導波路(2)内を伝搬する光信号のエバネッセントテールがゲルマニウム層(4)と結合するように、前記導波路(2)の一部上に配置されたゲルマニウム層(4)と、
第1の金属コンタクト(7)および第2の金属コンタクト(9a、9b)と、
を含む光検出器構造体(1、1’、1”)であって、
前記ゲルマニウム層(4)が前記信号の伝搬方向(X)に沿う長さ(L)と前記伝搬方向(X)と実質的に直交する方向(Z)にある幅(W)とを有するメサ(10)を含み、前記メサ(10)の幅(W)がその長さ(L)よりも小さいものであり、
前記第1の金属コンタクト(7)が前記ゲルマニウム層(4)の上に位置し、前記第2の金属コンタクト(9a、9b)が前記シリコンベースの導波路(2)の上に位置し、前記第1のコンタクトおよび前記第2のコンタクトが光吸収により発生した電子を集めて出力電気信号を得るために使用される光検出器構造体(1、1’、1”)。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F049MA03
, 5F049MB02
, 5F049MB03
, 5F049NA03
, 5F049NB01
, 5F049QA03
, 5F049QA08
, 5F049SS03
, 5F049SS07
, 5F049WA01
