半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048744
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251828
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】信頼性が高く、高歩留まり、高特性なフォトダイオード内臓型面発光半導体レーザを簡便に提供する。【構成】半導体基板(102) に対して垂直な共振器を持つ半導体レーザにおいて、共振器が構成する発光部(120) の近傍に共振器と同一構造を持った検出部(121) を作成し、発光部と検出部の間をII-VI族化合物半導体エピタキシャル層(109) で埋め込んで構成する。発光部から出射されるレーザ光出力を検出部で検出し、APC回路用のフォトダイオードを内蔵した面発光半導体レーザを構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に垂直な方向に光を出射するように当該半導体基板に垂直な方向に形成された共振器を有し、該共振器を形成する半導体層の少なくとも一層が柱状に形成されている面発光型の半導体レーザにおいて、前記半導体基板の同一基板上に前記面発光型の半導体レーザの出力光を検出するフォトダイオードを形成することを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 27/15

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-015872
特開昭62-015872

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