特許

J-GLOBAL ID：200903095605824842

半導体装置

発明者： 大塚 敏志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-046238
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263446
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置に関し,パッドに接続する配線のエレクトロマイグレーション耐性を高くする。【構成】 アルミニウム含有金属からなる配線11b と, アルミニウム含有金属からなり且つ外部導出端子となるパッド13a とが, 該配線あるいは該パッドと異なる層に形成されたリフラクトリ材料からなる配線11a を介して接続されている半導体装置。

請求項（抜粋）：

アルミニウム含有金属からなる配線(11b) と, アルミニウム含有金属からなり且つ外部導出端子となるパッド(13a) とが, 該配線(11b) あるいは該パッド(13a) と異なる層に形成されたリフラクトリ材料からなる配線(11a) を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/82 P ,  H01L 21/90 B