特許
J-GLOBAL ID：200903095609452664
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-329486
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177206
出願日： 1992年12月09日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、従来のフリップチップ方式で製作した半導体装置が有するを問題点である加熱による素子の損傷、動作した際の放熱性等を解決した半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 実装基板3上に半導体素子2をフェイスダウン方式で実装した半導体装置において、保持板1と、保持板1の下面に持着されるとともに、バンプ電極5a〜5eの形成されている半導体素子2と、保持板1の所定の位置に設けられ、保持板1に垂直ないずれかの軸に対して回転対称を成さない位置に配列されている複数の挿嵌棒4a〜4dと、複数の挿嵌棒4a〜4dのそれぞれに対応しているとともに、複数の挿嵌棒4a〜4dのそれぞれが密嵌して装着される複数の孔6a〜6dを有し、バンプ電極5a〜5eに対向してパッド電極5a〜5eが設けられた実装基板とを備えることを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
実装基板上に半導体素子をフェイスダウン方式で実装した半導体装置において、保持板と、前記保持板の下面に持着されるとともに、反対面にバンプ電極の形成されている半導体素子と、前記保持板の下面の所定の位置に設けられた複数の挿嵌棒と、前記複数の挿嵌棒のそれぞれに対応しているとともに、前記複数の挿嵌棒のそれぞれが密嵌して装着される複数の孔を有し、前記バンプ電極に対向してパッド電極が設けられた実装基板とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/32
