特許
J-GLOBAL ID：200903095610496683
保護ダイオードおよび半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-251090
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090500
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板の上に形成された内部回路の素子を保護するもので、電源電圧の極性を逆に設定した場合にも過大電流が流れることを防止できる保護ダイオードを提供する。【構成】 P形半導体基板1の上にN形エピタキシャル層2が形成されており、そのN形エピタキシャル層2の一部に設けられ基板電位用配線5が接続されたP形分離領域3とそのP形分離領域3で囲まれたN形の島領域9とで構成されるダイオードと、島領域9内に形成された一端が外部リード端子に接続され他端が同じ島領域9内に形成されたN形拡散領域10に接したP形拡散領域11とからなり、N形拡散領域10とP形拡散領域11との界面が導体配線14で接続されている。
請求項（抜粋）：
一方導電型の半導体基板の一部に設けられ基板電位用配線が接続された他方導電型の分離領域とその分離領域で囲まれた一方導電型の島領域とで構成されるダイオードと、前記島領域内に形成された一端が外部リード端子に接続され他端が同じ島領域内に形成された一方導電型領域に接した他方導電型領域とからなり、前記一方導電型領域と前記他方導電型領域とがその界面で導電配線により接続された保護ダイオード。
IPC (2件)：
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