特許
J-GLOBAL ID：200903095613100845

積層構造体及びその製造方法

発明者：
熊谷 祥

熊谷 祥 について

, 
吉川 雅人

吉川 雅人 について


出願人/特許権者：
株式会社ブリヂストン

株式会社ブリヂストン について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-337616
公開番号（公開出願番号）：特開2000-239827
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2000年09月05日
要約：
【要約】【課題】 耐酸化性、耐塩素性、耐湿性、高屈折率、高光透過率等に優れた炭化ケイ素質被覆層を有することにより、特にCD-RW、DVD-RAM等の光ディスクの記録媒体に好適な積層構造体を提供する。【解決手段】 合金基材上に、スパッタリングにより形成された炭化ケイ素質被覆層を有し、該炭化ケイ素質被覆層の光透過率が70%以上であることを特徴とする積層構造体である。合金基材が、磁性合金又は相変化合金である態様、炭化ケイ素質被覆層の表面に存在する不純物の比率が1.0×1012atoms/cm2以下である態様、炭化ケイ素質被覆層の厚みが10〜100nmである態様、などが好ましい。
請求項（抜粋）：
合金基材上に、スパッタリングにより形成された炭化ケイ素質被覆層を有し、該炭化ケイ素質被覆層の光透過率が70%以上であることを特徴とする積層構造体。
IPC (7件)：
C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  G11B 7/24 511 ,  G11B 7/24 534 ,  G11B 7/24 535 ,  G11B 7/24 ,  G11B 7/26 531
FI (8件)：
C23C 14/06 B ,  C23C 14/34 U ,  C23C 14/34 A ,  G11B 7/24 511 ,  G11B 7/24 534 J ,  G11B 7/24 535 C ,  G11B 7/24 535 G ,  G11B 7/26 531
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM