特許

J-GLOBAL ID：200903095617259890

半導体発光素子の製造方法

発明者： 小出 典克 ,  小池 正好
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-231476
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065214
出願日： 1996年08月12日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 サファイア基板がなくても充分な機械的強度を持ち、高い発光効率の半導体発光素子を製造する方法を提供する。【解決手段】 III族窒化物半導体(AlXInYGa1ーXーYN;X=0、Y=0、X=Y=0を含む)で形成される半導体発光素子の製造方法であって、サファイア基板8の少なくとも一面へ酸化亜鉛からなる第1の層9を形成し、前記第1の層の上に発光素子の第1の導電型の第1の半導体層2を有機金属化合物気相成長法で形成し、第1の半導体層の上に第2の導電型の第2の半導体層4を同じく有機金属気相成長法で形成し、その後、酸化亜鉛からなる前記第1の層及び前記サファイア基板を前記第1の半導体層から分離する。

請求項（抜粋）：

III族窒化物半導体(AlXInYGa1ーXーYN;X=0、Y=0、X=Y=0を含む)で形成される半導体発光素子の製造方法であって、サファイア基板の少なくとも一面へ酸化亜鉛からなる第1の層を形成し、前記第1の層の上にp伝導型の第1の半導体層若しくはI型の半絶縁層を有機金属化合物気相成長法で形成し、前記第1の半導体層の上にn伝導型の第2の半導体層を有機金属化合物気相成長法で形成し、前記第2の半導体層の上に導電性の補強層を形成し、その後、酸化亜鉛からなる前記第1の層及び前記サファイア基板を前記第1の半導体層から分離することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18