特許

J-GLOBAL ID：200903095622242806

半導体受光装置

発明者： 廣中 美佐夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-160233
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013798
出願日： 1991年07月01日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 光吸収層の、空乏層の外側周辺部の領域で発生するキャリアに起因する応答速度の低下を抑えて、入射光の変化に対して急速に応答する光電流を発生させることを目的とする。【構成】 窓層を貫通して光吸収層中に達する深さに形成された導電型反転領域と、該導電型反転領域の外側周辺に該導電型反転領域を取り囲む形で、該導電型反転領域の周辺に形成される空乏層の外側周辺部の光吸収層中で発生した少数キャリアの寿命が上記空乏層の底部近傍の光吸収層中の少数キャリアの寿命よりも著しく短くなる短寿命領域を設けたことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板と、該基板上に設けられた第1の導電型の光吸収層と、該光吸収層上に積層して形成された該光吸収層よりもバンドギャップが広い第1の導電型の窓層と、該窓層の表面から上記光吸収層に達するかもしくは該光吸収層まで数μm程度に接近する深さに形成された第2の導電型の導電型反転領域と、該導電型反転領域上の受光領域が形成される領域上の少なくとも一部分の領域を除く上記窓層の表面に形成された入射光に対して実質的に透明な表面保護膜と、少なくとも上記光吸収層中であって、上記導電型反転領域の周囲を取り囲んで設けられた少数キャリアの寿命が上記導電型反転領域底部の光吸収層中の少数キャリアの寿命よりも著しく短くなるようにされた第1の導電型の短寿命領域と、上記表面保護膜上に上記導電型反転領域に電気的に接触して形成された一方の電極と、上記半導体基板の裏面にこれと電気的に接触して設けられた他方の電極とからなる半導体受光装置。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/107

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-125989
  
• 特開平1-205477
  
• 特開昭60-034079