特許

J-GLOBAL ID：200903095644181827

金属層上にパターン化された絶縁層を形成する方法

発明者： ジルヴァ ヤラーク
出願人/特許権者： ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
代理人 (3件)： 矢野 敏雄 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-507434
公開番号（公開出願番号）：特表2004-503087
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

本発明は、金属層(12)上にパターン化された絶縁層(14)を形成する方法に関する。該方法によれば、金属層(12)に絶縁層(14)を被着し、絶縁層(14)にカバリング材料(16)を被着し、かつ絶縁材料(14)及びカバリング材料(16)をプラズマエッチングプロセスでエッチングする。カバリング材料(16)を絶縁層(14)への被着に引き続きパターン化し、かつカバリング材料(16)のパターン化に引き続きプラズマエッチングプロセスを実施し、パターン化及び平坦化された絶縁層(14)を形成する。

請求項（抜粋）：

金属層(12)に絶縁材料(14)を被着し、 絶縁層(14)にカバリング材料(16)を被着し、かつ 絶縁材料(14)及びカバリング材料(16)をプラズマエッチングプロセスでエッチングすることにより、金属層(12)上にパターン化された絶縁層(14)を形成する方法において、 カバリング材料(16)を絶縁層(14)への被着に引き続きパターン化し、かつ カバリング材料(16)のパターン化に引き続きプラズマエッチングプロセスを実施し、その際パターン化及び平坦化された絶縁層(14)を形成することを特徴とする、金属層上にパターン化された絶縁層を形成する方法。

IPC (3件)：

H01L21/3205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768

FI (3件)：

H01L21/88 K ,  H01L21/90 A ,  H01L21/302 105Z

Fターム (17件)：

5F004AA11 ,  5F004DB03 ,  5F004EA27 ,  5F004EA29 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033KK07 ,  5F033NN32 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033SS04 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34