特許

J-GLOBAL ID：200903095646661982

半導体ウエハの裏面研削方法およびそれに使用される保護テープ

発明者： 藤本 晴彦 ,  江原 玄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-317683
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145089
出願日： 1997年11月04日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 研削屑がウエハの裏面被研削面に転写するのを防止する。【解決手段】 ウエハの裏面電極を形成する際の裏面研削方法において、ウエハの表面に塗布されたレジスト上に耐酸性テープが貼付される工程2が実施された後に、ウエハの裏面を研削する研削工程3が実施される。耐酸性テープの表層の除去フィルムが剥離される工程4により耐酸性テープの表面に付着した研削屑が一緒に除去される。除去フィルム剥離工程4で研削屑が除去されているため、研削加工歪みを除去するためのエッチング工程5では、必然的に研削屑がウエハの裏面被研削面に転写することはない。耐酸性テープ剥離工程6で耐酸性テープがウエハから剥離される。その後、ウエハ裏面電極が形成される。【効果】 研削屑がウエハの裏面に転写するのを防止できるため、ウエハ裏面電極を適正に形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの表面に保護テープが貼付される保護テープ貼付工程と、この半導体ウエハの裏面が研削される研削工程と、前記保護テープの表層フィルムが剥離される表層フィルム剥離工程と、前記半導体ウエハがエッチングされるエッチング工程と、前記保護テープが前記半導体ウエハから剥離される保護テープ剥離工程とを備えていることを特徴とする半導体ウエハの裏面研削方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 331

FI (2件)：

H01L 21/304 321 B ,  H01L 21/304 331