特許
J-GLOBAL ID：200903095656117792
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-133675
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330422
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】多層配線の配線間の電気的接続を安定して形成する。【構成】半導体基板の表面に層間絶縁膜を挟んで形成される多層配線の下層の配線と上層の配線の接続において、前記下層の配線の表面にバリアメタルが形成され、前記下層の配線の側面に前記層間絶縁膜とは異種材料のサイドウォール絶縁膜が形成され、前記下層の配線上の前記層間絶縁膜にコンタクト孔が形成され前記孔に導電体材が充填されて、前記下層の配線と前記上層の配線とが電気接続される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に層間絶縁膜を挟んで形成される多層配線の下層の配線と上層の配線の接続において、前記下層の配線の表面にバリアメタルが形成され、前記下層の配線の側面に前記層間絶縁膜とは異種材料のサイドウォール絶縁膜が形成され、前記下層の配線上の前記層間絶縁膜にコンタクト孔が形成され前記孔に導電体材が充填されて、前記下層の配線と前記上層の配線とが電気接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3205
H01L 21/90 B
, H01L 21/88 B
