特許
J-GLOBAL ID：200903095660115125
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-340724
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188225
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 TiONバリヤメタル上にブランケットCVD法により積層されたBブランケットW(Blk-W)層を、ローディング効果を抑制しながら制御性良くエッチバックし、信頼性の高いプラグを形成する。【構成】 TiONバリヤメタルは元来Cl* に対してエッチング耐性が高く、それ故にローディング効果の防止に寄与しているが、このエッチバック時に無機カルボニル化合物を用いてCO* にO原子を引き抜かせることで、上記耐性を若干低下させ、安定したエッチバック特性を得る。たとえば、第1の工程でS2 F2 /H2 混合ガスを用いてBlk-W層5を高速にエッチバックした後、第2の工程でCl2 /CO2 混合ガスを用いてTi/TiON積層バリヤメタル4をエッチバックすると、接続孔3内に平坦にWプラグ5spを残すことができる。
請求項（抜粋）：
酸窒化チタンからなるバリヤメタルと高融点金属層との積層膜を、無機カルボニル化合物を含みハロゲン系エッチング種を生成可能なエッチング・ガスを用いてエッチバックすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
