特許

J-GLOBAL ID：200903095661390618

積層配線のドライエッチング方法

発明者： 辰己 哲也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-040099
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249611
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 W層上にAl系金属層が形成された、マイグレーション耐性に優れた積層配線を、残渣やパーティクル汚染の発生を伴わずに異方性エッチングする。【構成】 Al系金属層5をCl系ガスでパターニング後、高融点金属層4はCl系とO系の混合ガスに切り替えてパターニングする。Al系金属層5パターン側面に酸化処理を施してから高融点金属層をエッチングしてもよい。【効果】 W等の高融点金属層はオキシ塩化物となり、イオンモードでエッチングされるので異方性に優れる。Al系金属層パターンの酸化処理はラジカルによるサイドアタックを防止する。F系ガスを用いないので、AlFx 系の変質膜がフェンス状残渣となって残ることがない。Cl系ガスとして塩化イオウガスを用いると、イオウ系の側壁保護膜の併用ができるので、一層の異方性形状の向上が可能となる。

請求項（抜粋）：

高融点金属層上にAl系金属層が形成された構造を含む積層配線のドライエッチング方法において、該Al系金属層をCl系ガスを含むガスでエッチング後、前記高融点金属層をCl系ガスとO系ガスを含む混合ガスによりエッチングすることを特徴とする、積層配線のドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/302 G ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D