特許

J-GLOBAL ID：200903095662181125

半導体装置及びその製造方法

発明者： 須之内 一正
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-295420
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135779
出願日： 1997年10月28日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】自己整合コンタクトを含むデバイスでもコンタクト工程を1度で済ませて製造プロセスを簡略化すること。【解決手段】シリコン基板21上のゲート電極24上には、コンタクト部25a、25bを有するキャップ層25が自己整合的に形成される。そして、このキャップ層25及びシリコン基板21上にSiO2 系の層間膜38が堆積された後、コンタクト孔40a〜40eのパターニングが行われる。この後、上記コンタクト孔40a〜40eに対して配線層41が形成される。上記コンタクト部25a、25bの径は、コンタクト孔40a〜40eの径と異なって形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極上に上記ゲート電極と自己整合的に形成され、第1のコンタクト孔を有するキャップ層と、上記半導体基板及び上記キャップ層上に堆積され、上記第1のコンタクト孔上に第2のコンタクト孔を有する層間膜と、上記第1及び第2のコンタクト孔内に形成される配線層とを具備する半導体装置に於いて、上記第1のコンタクト孔と第2のコンタクト孔は互いに異なるマスクを用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (3件)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/08 102 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• セルフアライン・コンタクト孔の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-319550   出願人：日本電気株式会社
• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-006541   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-061734   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-155426   出願人：富士通株式会社