特許
J-GLOBAL ID：200903095665533600
絶縁ゲート型サイリスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-078534
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274304
出願日： 1995年04月04日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】局在化させたライフタイムキラーをnベース層に導入することで、良好なオン電圧-ターンオフのトレードオフ特性を得る。【構成】高比抵抗のnベース層3の一方の面の表面層に第1pベース領域4、第2pベース領域5が形成され、他方の面にn+ バッファ層2を介してp+ アノード層1が形成されている。第1pベース領域4の表面層にn+ ソース領域7域と第2pベース領域5の表面層にn+ エミッタ領域8が各々選択的に形成されている。第1pベース領域4、nベース層3、そして第2pベース領域5の表面上にゲート絶縁膜9を介してゲート電極10が形成され、その上にリンガラス(PSG)13を介して抵抗体14が形成されている。nベース層3内にライフタイムキラー50を局在的に導入する。
請求項（抜粋）：
第一導電形ベース層と、第一導電形ベース層の主面の表面層に選択的に分離形成された第一、第二の第二導電形ベース領域と、第一の第二導電形ベース領域の表面層に選択的に形成された第一導電形ソース領域と、第二の第二導電形ベース領域の表面層に選択的に形成された第一導電形エミッタ領域と、第一導電形のソース領域およびエミッタ領域間に挟まれた第一の第二導電形ベース領域の露出部、第一導電形ベース層の露出部、第二の第二導電形ベース領域の露出部に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、第一の第二導電形ベース領域の露出部と第一導電形ソース領域とに共通に接触する第一主電極と、第一主電極と第二の第二導電形ベース領域の露出部との間に介在して双方に接触する抵抗体と、第一導電形ベース層の他面に形成された高濃度の第一導電形バッファ層と、第一導電形バッファ層の表面層に形成されたと第二導電形エミッタ層と、第二導電形エミッタ層に接触する第二主電極とを有するものにおいて、第一導電形ベース層内にライフタイムキラーを局在化させることを特徴とする絶縁ゲート型サイリスタ。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 29/74 N
, H01L 29/74 G
, H01L 29/74 P
, H01L 29/78 655 A
