特許
J-GLOBAL ID：200903095670955628
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-232397
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079360
出願日： 1996年09月02日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板とその上に形成された絶縁膜とを有する板体でなり、板体が、多数の素子形成領域と、それらを区画するスクライブ線上のスクライブ領域と、スクライブ領域内に素子形成領域に連接して配されているマーク形成領域との区画を有し、絶縁膜に、スクライブ領域において、マーク形成領域を残して、スクライブ領域上除去部が設けられている半導体装置において、板体を、スクライブ線に沿って、多数の半導体チップが得られるべく切断する際に、絶縁膜に半導体基板からの剥離が生じないようにする。【解決手段】 絶縁膜に、素子形成領域のマーク形成領域に沿った領域において、素子形成領域上の領域がマーク形成領域上の領域に連接しないように、両端をスクライブ領域上除去部に連通している素子形成領域上除去部が設けられている。
請求項（抜粋）：
半導体基板とその半導体基板上に形成された絶縁膜とを有する板体でなり、上記板体が、上記絶縁膜側の上方からみて、マトリクス状に配列された多数の素子形成領域と、それら多数の素子形成領域を区画するように格子状に配列されたスクライブ線に沿って帯状に延長しているスクライブ領域と、そのスクライブ領域内に上記多数の素子形成領域中の少なくとも1つの素子形成領域に局部的に連接して配されている少なくとも1つのマーク形成領域との区画を有し、上記絶縁膜に、上記スクライブ領域において、上記マーク形成領域を残して、上記スクライブ線に沿って帯状に延長しているスクライブ領域上除去部が設けられ、上記板体が、上記絶縁膜側から、上記スクライブ線に沿って、上記多数の素子形成領域をそれぞれ有する多数の半導体チップが得られるべく切断されることが予定されている半導体装置において、上記絶縁膜に、上記多数の素子形成領域中の上記マーク形成領域に連接している素子形成領域の上記マーク形成領域に沿った領域において、上記マーク形成領域に連接している素子形成領域上の領域が上記マーク形成領域上の領域に連接しないように、両端を上記スクライブ領域上除去部に連通して帯状に延長している素子形成領域上除去部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/78 L
, H01L 21/02 A
