特許

J-GLOBAL ID：200903095676850011

半導体レーザ装置およびそのワイヤボンディング法

発明者： 野崎 顕三
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-367701
公開番号（公開出願番号）：特開2002-171020
出願日： 2000年12月01日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】作業性よく二次側の圧着強度が充分に得られる半導体レーザ装置およびそのワイヤボンディング法を提供する。【解決手段】半導体レーザチップ102の電極面102a上に、ボールボンディング法により、金属ワイヤ106の一次側を熱圧着し、次いで、その二次側を、ステッチボンディング法により、リードピン105の先端面105aに熱圧着する半導体レーザ装置のワイヤボンディング法において、リードピン105の先端面105aを、半導体レーザチップ102の電極面102aに対して、その半導体レーザチップ102の電極面102aとは反対側に向けて所定の角度αだけ傾斜させ、その先端面105aに、金属ワイヤ106の二次側を熱圧着する。

請求項（抜粋）：

半導体レーザチップの電極面上に、ボールボンディング法により、金属ワイヤの一次側を熱圧着し、次いで、その二次側を、ステッチボンディング法により、リードピンの先端面に熱圧着する半導体レーザ装置のワイヤボンディング法において、リードピンの先端面を、半導体レーザチップの電極面に対して、その半導体レーザチップの電極面とは反対側に向けて所定の角度αだけ傾斜させ、その先端面に、金属ワイヤの二次側を熱圧着することを特徴とする半導体レーザ装置のワイヤボンディング法。

IPC (2件)：

H01S 5/02 ,  H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01S 5/02 ,  H01L 21/60 301 B

Fターム (6件)：

5F044AA01 ,  5F073EA15 ,  5F073EA29 ,  5F073FA01 ,  5F073FA11 ,  5F073FA27