特許

J-GLOBAL ID：200903095685387073

光半導体電極、その製造方法、及びそれを用いた光電変換素子

発明者： 小野 好之 ,  石井 徹 ,  高田 北斗 ,  上坂 友純
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-380368
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184477
出願日： 2000年12月14日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体層の不純物が極めて少なく、光電変換特性が安定な光半導体電極、光電変換素子、及びそのような光半導体電極を短時間で簡便に効率よく、しかも常温で製造できる製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体微粒子と搬送ガスとが混合されたエアロゾルを支持基板上に吹き付け、前記半導体微粒子を前記支持基板上に堆積させる堆積工程を有する光半導体電極の製造方法である。また、この製造方法によって製造された光半導体電極である。

請求項（抜粋）：

半導体微粒子と搬送ガスとが混合されたエアロゾルを支持基板表面に吹き付け、前記半導体微粒子を前記支持基板表面に堆積させる堆積工程を有することを特徴とする光半導体電極の製造方法。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (11件)：

5F051AA14 ,  5F051FA30 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB00 ,  5H032BB05 ,  5H032BB10 ,  5H032CC11 ,  5H032EE02 ,  5H032EE08 ,  5H032EE16