特許
J-GLOBAL ID:200903095686080770

半導体集積回路装置の製造方法およびそれにより得られる半導体集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-071767
公開番号(公開出願番号):特開平5-275491
出願日: 1992年03月30日
公開日(公表日): 1993年10月22日
要約:
【要約】【目的】 高発熱で、多数の高周波信号入出力用電極を有する半導体チップを配線基板上に高い信頼度で、かつ安価に接続する技術を提供する。【構成】 配線基板1の配線ランド4上にボールボンディング法を用いてAuボールを接合した後、このAuボールを一括して平坦化することにより、高さの揃ったAuランド14を形成する工程と、半導体チップ10の電極パッド11上にボールボンディング法を用いてAuボール12を接合する工程と、上記Auランド14とAuボール12とを熱圧着により一括接続する工程とを備えた半導体集積回路装置の製造方法である。
請求項(抜粋):
配線基板の配線ランド上に金属ボールを接合した後、前記金属ボールを平坦化して金属ランドを形成する工程、半導体チップの電極パッド上に金属ボールを接合する工程、前記金属ランドと前記金属ボールとを熱圧着により接合する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平1-295433
  • 特開平1-091440
  • 特開昭62-067842
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