特許

J-GLOBAL ID：200903095687803570

半導体シミュレーション装置および半導体シミュレーション方法

発明者： 上里 英樹
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-121185
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306967
出願日： 1996年05月16日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 横方向濃度分布を知得して例えば電界効果トランジスタのソース/ドレイン濃度分布を導出できる半導体シミュレーション装置を提供する。【解決手段】 プロセス条件に基づいて不純物領域の濃度分布等のデバイス構造データを生成するプロセスシミュレーション実行部5と、前記デバイス構造データに基づいてI-V値等のデバイス特性データを算出するデバイスシミュレーション実行部6と、前記算出されたI-V値が実測されたI-V値に適合するように前記実行部6の合わせ込みを行う精度向上部7と、前記実行部6から出力されるデバイス特性データ及びネットリストを用いてリングオシレータの伝搬遅延時間を算出する回路シミュレーション実行部8と、前記算出された伝搬遅延時間が実測された伝搬遅延時間に適合するように不純物領域の横方向濃度分布を変更させるtpd実測値比較部9及び横方向不純物濃度変更部10とを備えた。

請求項（抜粋）：

プロセス条件に基づいて不純物領域の濃度分布等のデバイス構造データを生成するプロセスシミュレーション実行部と、前記デバイス構造データに基づいてI-V値等のデバイス特性データを算出するデバイスシミュレーション実行部と、前記算出されたI-V値が実測されたI-V値に適合するように前記デバイスシミュレーション実行部の合わせ込みを行う精度向上部と、前記デバイスシミュレーション実行部から出力されるデバイス特性データ及びネットリスト出力部からのネットリストを用いてリングオシレータの伝搬遅延時間を算出する回路シミュレーション実行部と、前記算出された伝搬遅延時間が実測された伝搬遅延時間に適合するように不純物領域の横方向濃度分布を変更させるためのデータを生成し不純物領域の横方向濃度分布を変更させる横方向不純物濃度変更部とを備えたことを特徴とする半導体シミュレーション装置。

IPC (7件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/00

FI (6件)：

H01L 21/66 Z ,  H01L 21/00 ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 29/00 ,  G01R 31/28 F ,  H01L 27/06 102 A