特許
J-GLOBAL ID：200903095692336000
半導体装置の電極装置
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-077396
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283220
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】この発明は、水素アニールによる強度低下を防止できる、突起バンプ電極等の半導体装置の電極装置を提供することを目的とする。【構成】半導体ウエハ基板11の表面に、半導体回路素子の取り出し電極に接続されるアルミニウム金属配線層12が形成され、電極取り出し部を除いてパッシベーション膜13が形成されている。このパッシベーション膜13の開口に対応する金属配線層12の露出部には、第1のバリアメタル層141 と第2のバリアメタル層142からなるバリア層14が形成され、その上に電極下地層15を介してCu電極16が形成され、さらにはんだ層17が形成される。ここで、第1のバリアメタル層141 はTiによって構成され、第2のバリアメタル層142 はTi-Hの電気陰性度の差より大きい電気陰性度の差のある元素との組み合わせによるTi合成物によって構成れ、水素アニールによって水素脆化が防止されるようにしている。
請求項（抜粋）：
回路素子の形成された半導体基板上に形成された金属配線層と、前記半導体基板上に形成され、前記金属配線層部の電極形成領域に対応してこの金属配線層が露出されるようにした開口を有する絶縁性保護膜と、この絶縁層保護膜上を含み前記金属配線層の露出部の上に形成されたバリア層と、このバリア層の上に形成されたはんだ層を含み構成されるバンプ電極構造体とを具備し、前記バリア層はチタンと水素との電気陰性度の差よりも大きい電気陰性度の差が設定される元素を含むチタンにより構成されるようにしたことを特徴とする半導体装置の電極装置。
引用特許：
前のページに戻る
