特許
J-GLOBAL ID：200903095697131384
半導体モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-013869
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221262
出願日： 1994年02月07日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 配線基板上に実装された複数の半導体チップ間を接続する配線の長さを極限まで短くする。【構成】 配線基板3の主面上に半田バンプ8を介して第1の半導体チップ1をフェイスダウンボンディングし、高さ方向に重ね合わせた複数個の金バンプ9を介して第1の半導体チップ1よりも外形寸法の大きい第2の半導体チップ2を第1の半導体チップと重なるようにフェイスダウンボンディングした半導体モジュールである。
請求項（抜粋）：
配線基板の主面上に第1のバンプ電極を介して第1の半導体チップをフェイスダウンボンディングし、前記第1のバンプ電極よりも高さの大きい第2のバンプ電極を介して前記第1の半導体チップよりも外形寸法の大きい第2の半導体チップを前記第1の半導体チップと重なるようにフェイスダウンボンディングしたことを特徴とする半導体モジュール。
IPC (4件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/52
H01L 25/08 Z
, H01L 23/52 C
