特許

J-GLOBAL ID：200903095700794870

半導体記憶装置

発明者： 原 高弘
出願人/特許権者： 九州日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-108648
公開番号（公開出願番号）：特開平6-325589
出願日： 1993年05月11日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】レーザー切断用ヒューズとレーザーとの目合に余裕をもたせ、溶断用ヒューズを用いることでチップ面積を小さくする。【構成】レーザー切断用ヒューズH1〜Hn+1をスクライブ線上に配置することで、ヒューズの間隔を十分とることができ、チップ内に溶断用ヒューズHY1〜HYn+1を配置することで、ヒューズピッチを詰めることができる。スクライブ線のヒューズをカットすることで溶断用ヒューズのデータを作り、スクライブ線に設けたパッドより電圧を印加することで溶断用ヒューズを容易にトリミングできる。

請求項（抜粋）：

冗長メモリセルを有し、この冗長メモリセルの選択をヒューズ切断にて行う半導体記憶装置において、レーザー切断にてトリミングを行うヒューズをスクライブ線に配置し、このスクライブ線のトリミングされたヒューズによってプログラムされたデータに基づき、チップ内の溶断用ヒューズを電気的に溶断する溶断用ヒューズを備えることを特徴とする半導体記憶装置。