特許

J-GLOBAL ID：200903095708570865

高周波用入出力端子ならびに高周波用半導体素子収納用パッケージ

発明者： 川上 浩
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-345508
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176988
出願日： 1997年12月15日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 コプレーナ線路構造の高周波用入出力端子において、ハーメチックシール部の接合強度が弱く接合信頼性が低い。【解決手段】 下面接地導体層3と、線路導体4とその両側に配設された同一面接地導体層5とが形成された誘電体基板1と、誘電体基板1上に線路導体4および同一面接地導体層5の一部を挟んで接合され、上面接地導体層6が形成された誘電体壁部材2とから成り、同一面接地導体層5のうち誘電体基板1と誘電体壁部材2とに挟まれた部位で、線路導体4側の辺を除く領域に導体非形成領域9を設けた高周波用入出力端子である。コプレーナ線路構造で高周波信号の伝搬モードを揃えて反射損失・挿入損失を低減できるとともに、ハーメチックシール部の接合が強固となる。

請求項（抜粋）：

下面に下面接地導体層が、上面に線路導体と該線路導体の両側に等間隔で配設された同一面接地導体層とがそれぞれ形成された誘電体基板と、該誘電体基板上に前記線路導体および同一面接地導体層の一部を挟んで接合され、上面に上面接地導体層が形成された誘電体壁部材とから成る高周波用入出力端子であって、前記同一面接地導体層のうち前記誘電体基板と前記誘電体壁部材とに挟まれた部位で、前記線路導体側の辺を除く領域に導体非形成領域を設けたことを特徴とする高周波用入出力端子。

IPC (3件)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 23/04 ,  H01L 23/52

FI (3件)：

H01L 23/12 301 Z ,  H01L 23/04 F ,  H01L 23/52 E