特許
J-GLOBAL ID：200903095708885270
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-154050
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135220
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】高出力型GaAs電界効果トランジスタのドレイン破壊耐圧を劣化させることなく出力特性を向上させる。【構成】ゲート電極4を形成した動作層2と同一平面の動作層2の上にソース電極7を形成し、動作層2の表面に設けた溝6内にドレイン電極8を形成することにより、ドレイン破壊耐圧を劣化させずにソース側のチャネル狭窄による出力特性低下を防止する。
請求項（抜粋）：
半絶縁性GaAs基板上に形成した動作層と、前記動作層上に形成したゲート電極と、前記ゲート電極を設けた動作層と同一平面の前記動作層上に形成したソース電極と、前記動作層に設けた溝内に形成したドレイン電極とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
