特許

J-GLOBAL ID：200903095710406312

アルミニウム系パターンの形成方法

発明者： 柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-092768
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291204
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 Al系材料層のドライエッチングにおける選択性を向上させる。【構成】 Al系多層膜7をCOCl2 (塩化カルボニル)/Cl2 混合ガスを用いてエッチングする。このとき、レジスト・マスク8の分解生成物に由来して形成される炭素系ポリマーCClx にはカルボニル基(>C=O)が導入され、強い化学結合と静電吸着力が付与されてエッチング耐性が向上する。したがって、異方性加工に必要な入射イオン・エネルギーと炭素系ポリマーの堆積量が低減でき、レジスト選択性および下地選択性が向上する他、パーティクル汚染やアフターコロージョンも抑制できる。COCl2 /S2 Cl2 混合ガスを用いれば、側壁保護膜9の構成成分にS(イオウ)が加わり、一層の高選択化、低汚染化、低ダメージ化、アフターコロージョン耐性の向上等が実現できる。

請求項（抜粋）：

分子内にカルボニル基とハロゲン原子とを有するハロゲン化合物を含むエッチング・ガスを用いて基板上のアルミニウム系材料層をエッチングすることを特徴とするアルミニウム系パターンの形成方法。