特許

J-GLOBAL ID：200903095713521163

酸化物超電導薄膜合成方法

発明者： 藤田 淳一 ,  吉武 務 ,  佐藤 哲朗
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-184195
公開番号（公開出願番号）：特開平5-009100
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月19日
要約：

【要約】【目的】 平坦性のよいBi系超電導薄膜を合成する。さらにインコメンシュレ-ト変調構造の方向を揃えた単結晶薄膜を合成する。【構成】 SrTiO3基板1上に550〜650°CでBi2Sr2CuOx層2をバッファ-層として成長させ、その後基板温度をあげて80K超電導層Bi2Sr2CaCu2Ox層3を成長させる。また(100)面SrTiO3から(111)方向に数度傾斜させた基板面を用いる。

請求項（抜粋）：

Bi系酸化物超電導薄膜のチタン酸ストロンチウム(100)基板上への“その場”(in-situ)合成方法において、膜成長初期の基板温度を550〜650°Cに設定し、Bi2Sr2CuOxをバッファ-層として基板上にヘテロエピタキシャル成長させ、その後基板温度をBi2Sr2CaCu2Oxの超電導薄膜合成温度まで上げて超電導薄膜を成長させることを特徴とする酸化物超電導薄膜合成方法。

IPC (4件)：

C30B 29/22 501 ,  C30B 29/22 ,  H01B 13/00 565 ,  H01B 12/06 ZAA

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-252534
  
• 特開平1-145397
  
• 特開昭64-027131
  
• 特開昭64-100820
  
• 特開平1-167912