特許
J-GLOBAL ID：200903095719921210
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-046978
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251645
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 フリップチップ型の半導体発光素子の基板やリードフレームへの搭載工程を簡単にして生産性及び歩留りの向上を図る。【解決手段】 リードフレーム6のマウント部6aにフリップチップ型の半導体発光素子1を搭載するとともに、この半導体発光素子1をそのp側及びn側の電極3,2に一体化したマイクロバンプ5,4を介して導通させ、半導体発光素子1の搭載面側と反対側を主光取出し面とし、マウント部6aに異方導電性樹脂層10を積層形成するとともに、p側及びn側のマイクロバンプ5,4を異方導電性樹脂層10に圧入した部分を導電性化して基材側と半導体発光素子1を導通させる。
請求項（抜粋）：
基板またはリードフレーム等の基材のマウント部にフリップチップ型の半導体発光素子を搭載するとともに、この半導体発光素子をそのp側及びn側の電極にそれぞれマイクロバンプを形成し、これらのマイクロバンプを介して前記基材との間に導通路を形成するとともに前記半導体発光素子の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、マウント部に少なくとも異方導電性樹脂層を積層形成し、p側及びn側のマイクロバンプを前記異方導電性樹脂層に圧入する部分を、前記基材から前記発光素子を巡る電気的導通路としてなる半導体発光装置。
FI (2件)：
H01L 33/00 N
, H01L 33/00 C
