特許

J-GLOBAL ID：200903095723073975

相変化型不揮発性記憶装置及びその駆動回路

発明者： 市原 勝太郎 ,  與田 博明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 松山 允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-296102
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100085
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 相変化材料を記憶セルとして用いる相変化型不揮発性記憶装置(Ovonic-memory)の原理的問題点を解決し、記憶装置として確実且つ容易に動作する相変化型不揮発性記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】 記憶セルに情報を記録する前に、記憶セルの記録状態を読みとり、遷移に最適な書き込みパルスを選択して印加する。この際に、遷移が不要な場合には、書き込みパルスを印加しなくてもよい。あるいは、非晶質状態に遷移させるか結晶状態に遷移させるかに応じて、パルスの立ち下がり部の波形を調節し、結晶化保持時間を制御する。

請求項（抜粋）：

結晶状態と非晶質状態との間で相変化可能な相変化材料を含む記憶セルを有し、前記記憶セルの前記相変化材料の少なくとも一部分を前記結晶状態と前記非晶質状態との間で相変化させ、前記結晶状態に対応づけた第1の記録状態または前記非晶質状態に対応づけた第2の記録状態として情報の記録を可能とした相変化型不揮発性記憶装置を駆動する駆動回路であって、前記記憶セルに情報を記録する前に、前記記憶セルの記録状態を読みとることを特徴とする駆動回路。