特許
J-GLOBAL ID：200903095725665756
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-346824
公開番号（公開出願番号）：特開平6-195978
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 短時間でしかも簡易に半導体記憶装置の初期化を行う。【構成】 マルチプレクサ13によってシフトレジスタ15とワードドライバ12とが接続されると、各ワードドライバ12はシフトレジスタ15によってイニシャルクロック周期で順次駆動される。従って、各ワードドライバ12の駆動タイミングはシフトレジスタ15の信号出力タイミングによって定まる。また、デコード値選択回路21の制御によってカラムセレクタ17が全てのビット線対B,バーBを選択すると、1ワード線が選択される時間に1行分のメモリセル11に対してアクセスが行われる。
請求項（抜粋）：
情報を記憶する複数のメモリセルと、これら各メモリセルを行方向に接続するワード線と、前記各メモリセルを列方向に接続するビット線と、入力行アドレスをデコードする行デコーダと、この行デコーダのデコード値に応じて前記ワード線を駆動するワードドライバと、入力列アドレスをデコードする列デコーダと、この列デコーダのデコード値に応じて前記ビット線を選択する列選択回路とを備えた半導体記憶装置において、所定時間間隔で順次信号を出力するシフトレジスタと、切換信号入力に応じて前記行デコーダと前記ワードドライバとの接続を前記シフトレジスタと前記ワードドライバとの接続に切り換える切換回路とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 W
, G11C 11/34 371 E
