特許

J-GLOBAL ID：200903095726151810

半導体装置の製造方法

発明者： 天田 春男 ,  ▲高▼橋 延秋
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-033476
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232085
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の配線部の腐食を招くことなく、半導体ウエハの表面の清浄度を保ちながら、保護部材の剥離工程時に半導体ウエハに残存した保護部材や工程中に付着した他の有機異物を溶解し除去する。【解決手段】 素子形成面に粘着保護テープ13が貼り付けられた半導体ウエハ1の裏面を研削して半導体ウエハ1を薄くした後、粘着保護テープ13を剥離し、さらに、酢酸ブチル薬液等のような水洗可能な有機溶剤によって半導体ウエハ1の表面の有機異物を除去する。

請求項（抜粋）：

(a)半導体ウエハの主面に素子を形成する工程と、(b)前記(a)工程後の半導体ウエハの主面に保護部材を形成する工程と、(c)前記(b)工程後の半導体ウエハの裏面に対して加工処理を施す工程と、(d)前記(c)工程後、前記保護部材を除去する工程と、(e)前記(d)工程後の半導体ウエハに対して有機溶剤処理を施す工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 643 ,  H01L 21/304 651

FI (3件)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/304 651 B