特許
J-GLOBAL ID:200903095738497569

液晶デバイスの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 智廣 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-303789
公開番号(公開出願番号):特開平5-142579
出願日: 1991年10月24日
公開日(公表日): 1993年06月11日
要約:
【要約】【目的】 低い印加電圧で容易に画像メモリ性を持たせることができ、ポリマーの選択が容易であり、しかも、白濁状態での反射率が高くて高精彩である受光型電子ディスプレイデバイスを形成できる液晶デバイス及びその製造方法を提供する。【構成】 使用環境温度でスメクチックA相となり、かつ、使用環境温度以上で正の誘電率異方性を示すネマチック相となる液晶相を、透明重合体相を介して2つの基板間に保持した液晶デバイスであり、上記液晶相と透明重合体相とが互いに3次元的に連結した微細構造を形成している液晶デバイス及びその製造方法である。【効果】 50V程度の低電圧で書換えが可能であり、透明-不透明のコントラストが高く、高分解能,高精彩の画像のメモリが可能であり、紙に替わり得る廉価で柔軟性を有し、大面積化が容易な液晶デバイスを提供することができる。
請求項(抜粋):
使用環境温度でスメクチックA相となり、かつ、使用環境温度以上で正の誘電率異方性を示すネマチック相となる液晶相を、透明重合体相を介して2つの基板間に保持した液晶デバイスであり、上記液晶相と透明重合体相とが互いに3次元的に連結した微細構造を形成していることを特徴とする液晶デバイス。
IPC (2件):
G02F 1/137 ,  G02F 1/1333
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭63-124024
  • 特開平2-232621
  • 特開平3-091718

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