多状態EEPROMの読み書き回路および技術

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井ノ口壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-077013
公開番号（公開出願番号）：特開平11-339489
出願日： 1990年04月12日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】EEpromメモリの読出し,書込みや消去の回路および技術を改良し、長期にわたって優れた性能で動作可能な不揮発性多状態メモリを提供する。【解決手段】一連のしきい値レベルに対しメモリセルにより生じる変化を密接にトラッキングし調整する対応の一連の参照セルにより、読出しを行う。メモリセルの各フラッシュセクタは、セクタのセル読出し用の参照セルをもち、マスタ参照として作用する全メモリチップ用に存在する。また一連のしきい値レベルに対し、1対多のカレントミラー回路により同時に読出しを行う。改良形の書込みもしくは消去回路において、一度にメモリセルのグループで並列に書込みもしくは消去データのベリファイを行い、回路は、正しくベリファイされたセルへの書込みもしくは消去を選択的に禁止する。消去後にアース状態をプログラミングし、EEpromメモリセルのコントロールゲート用の独立した可変の電力供給を含む。

請求項（抜粋）：

ソース、ドレイン、コントロールゲート、メモリの使用時にプログラムされた電荷レベルを保つことができるフローティングゲートおよび前記フローティングゲートから電荷を消去状態に対応して変更できる消去電極をもつ形式の複数のアドレス可能な半導体の電気的に消去およびプログラムが可能なメモリ(EEPROM)セルのアレイにおいて、一つ以上の予め定められたしきい値レベルの対応するセットにより区分される複数の領域に関連してアドレスされたセルの蓄積された電荷を読み出すシステムであって:EEPROMセルのアレイから構成された参照メモリセルのセット、および一つ以上の予め定められたしきい値レベルのセットでの予め定められたしきい値と実質的に対応する電荷でプログラムすることができるそれぞれの参照メモリと;およびアドレスされたセルの電荷のレベルを参照メモリセルの前記セットの電荷と比較し、アドレスされたセルの蓄積された電荷が複数の領域のどこに置かれているかを決定することによりメモリの状態を読み出す手段とを含むアドレスされたセルの蓄積された電荷の読出しシステム。

IPC (2件)：

G11C 16/06 , G11C 16/02

FI (2件)：

G11C 17/00 634 E , G11C 17/00 641

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭64-059697
特開昭62-140298

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