特許

J-GLOBAL ID：200903095742324504

シリカ多孔質母材の製造方法

発明者： 須田 裕之 ,  小田切 泰樹 ,  塩田 英司 ,  岡田 英昭
出願人/特許権者： 東ソー株式会社 ,  日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 本多 小平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-323087
公開番号（公開出願番号）：特開平5-155631
出願日： 1991年12月06日
公開日（公表日）： 1993年06月22日
要約：

【要約】【目的】 シリカ多孔質母材側面部に剥離がなく、合成の再現性や安定性及び合成収率の向上したシリカ多孔質母材の製造方法を提供する。【構成】 VAD法によるシリカ多孔質母材の製造方法において、容器4内に送入する二次ガス8が出発部材に直接接触しないように容器4内に邪魔板6を設置してシリカ多孔質母材を製造するシリカ多孔質母材の製造方法。

請求項（抜粋）：

気体のガラス原料を酸水素炎バーナーから噴出させて容器内で火炎加水分解し、これにより生成されるシリカ微粒子を出発部材に堆積させ、該容器内に二次ガスを送入し、火炎加水分解の際に発生するガスを排気するシリカ多孔質母材の製造方法において、該容器内に送入する二次ガス流が該出発部材に直接接触しないように該容器内に邪魔板を設置してシリカ多孔質母材を製造することを特徴とするシリカ多孔質母材の製造方法。

IPC (3件)：

C03B 8/04 ,  C03B 37/018 ,  G02B 6/00 356

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-090844
  
• 特開昭61-247634
  
• 特開昭61-197439
  
• 特開昭56-088838