特許
J-GLOBAL ID:200903095743898253

液晶表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-272403
公開番号(公開出願番号):特開平10-090723
出願日: 1988年09月22日
公開日(公表日): 1998年04月10日
要約:
【要約】【課題】 ゲート電極、ゲート配線とその他の電極との短絡を防止する。【解決手段】 薄膜トランジスタのチャネル部分に第2の絶縁層を設ける液晶表示装置であって、信号配線がゲート配線の陽極化成膜と、第1の絶縁層と、非晶質シリコン層及び上記第2の絶縁層と同一材料よりなる絶縁層とを介して上記ゲート配線と交差して設けられている。
請求項(抜粋):
絶縁基板と、該絶縁基板上に形成されたゲート配線と、該ゲート配線に接続された薄膜トランジスタのゲート電極と、上記ゲート配線及びゲート電極を覆う絶縁層と、該絶縁層上に形成された非晶質シリコンよりなる薄膜トランジスタの半導体層、該半導体層上に形成され上記薄膜トランジスタのチャネル部分を覆う第2の絶縁層、該第2の絶縁層が除去された部分で上記半導体層と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極、該ドレイン電極に接続し上記絶縁層を介して上記ゲート配線と交差する信号配線、上記ソース電極に接続された画素電極とを有し、上記ゲート配線とゲート電極は同一金属により一体に設けられ、端子部分を除く上記ゲート配線とゲート電極の表面に上記金属の陽極化成膜が設けられ、上記信号配線は上記金属の陽極化成膜と、上記絶縁層と、非晶質シリコン層及び上記第2の絶縁層と同一の材料よりなる絶縁膜とを介して上記ゲート配線と交差して設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3件):
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (7件):
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 A ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 617 W ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 627 Z

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