特許
J-GLOBAL ID：200903095744231295
偏光無依存な半導体光増幅器及びそれを用いた光通信システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-054983
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244508
出願日： 1993年02月19日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】増幅率の偏光依存性を無くした半導体光増幅器、及びそれを用いた光通信システムないしネットワークである。【構成】半導体レーザ構造を備え、外部からの光に利得を与える半導体光増幅器である。基板である第1の半導体層1の上部に、第1の半導体層1に比べ格子定数の小さい第2の半導体層および第3の半導体層を有し、第1の半導体層1と第2および第3の半導体層との間の格子不整合により、第2の半導体層と第3の半導体層とがそれぞれ面内引っぱり応力を受けている。第2の半導体層が井戸層、第3の半導体層が障壁層となる量子井戸構造を活性層4としている。井戸層と障壁層とに面内引っぱり応力を与えることにより、良好な性能の偏光無依存な半導体光増幅器となっている。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ構造を備え、外部からの光に利得を与える半導体光増幅器において、第1の半導体層の上部に、第1の半導体層に比べ格子定数の小さい第2の半導体層および第3の半導体層を有し、該第1の半導体層と該第2および該第3の半導体層との間の格子不整合により、該第2の半導体層と該第3の半導体層とがそれぞれ面内引っぱり応力を受けており、該第2の半導体層が井戸層、該第3の半導体層が障壁層となる量子井戸構造を活性層としていることを特徴とする半導体光増幅器。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H04B 10/16
, H04B 10/20
H04B 9/00 J
, H04B 9/00 N
