特許

J-GLOBAL ID：200903095745153581

多層誘電体回路

発明者： 開 沼 聡
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 福山 正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-338940
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163703
出願日： 1996年12月03日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】スイッチドライン型移相器等のマイクロ波回路の集積化、小型化を実現する。【解決手段】誘電体上に形成されたマイクロストリップライン回路上に電気回路部品を実装した第1層1と、接地電極である第2層及び第4層間の誘電体内に形成されたストリップライン回路上にバイアス回路を有する第3層3と、接地電極である第4層及び第6層間の誘電体内に形成されたストリップライン回路上に基準位相回路51及び移相ライン回路52、53を有する第5層5とから構成される多層化したマイクロ波回路とする。これにより、マイクロ波回路の集積化を行い、回路の小型化を実現する。

請求項（抜粋）：

多層構造の誘電体を有し、少なくとも各誘電体層間には接地電極が形成され、第1の誘電体層上にストリップライン形成された回路パターンとともに電気回路部品が搭載され、第2の誘電体層内にバイアス信号が供給されるバイアス回路がストリップライン形成され、他の少なくとも1つの誘電体層内に前記バイアス信号により移相量が制御される移相回路がストリップライン形成され、前記回路パターン、バイアス回路、移相回路の所定部間が前記誘電体の厚み方向に形成されたスルーホールにより接続されて成ることを特徴とする多層誘電体回路。

IPC (3件)：

H01P 1/185 ,  H01P 3/08 ,  H05K 3/46

FI (5件)：

H01P 1/185 ,  H01P 3/08 ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 Z ,  H05K 3/46 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-226708
  
• 高周波多層集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-081815   出願人：松下電器産業株式会社
• スイッチドライン型移相器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-143278   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-261022