特許
J-GLOBAL ID：200903095746934501
レジスト パターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-178613
公開番号（公開出願番号）：特開平8-190203
出願日： 1995年07月14日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、半導体素子製造工程に用いられるレジストパターン形成の際、光のコントラストを向上させて垂直なプロファイルを有するレジストパターンを得ることにある。【構成】 1次レジストパターンを形成し、その上部に2次レジストパターンを形成する方法で垂直なプロファイルを有するレジストパターンを形成する。また、1次レジストを形成し、露光工程で1次レジストに露光領域を形成した後、その上部に2次レジストを形成し露光工程で2次レジストに露光領域を形成した後、現像工程で前記1次レジスト及び2次レジストのパターンを同時に形成する。
請求項（抜粋）：
レジスト パターン形成方法において、基板または下部層上部に1次フォト レジストを肉薄で塗布する段階と、マスクを用いた露光工程と現像工程を実施して1次フォト レジスト パターンを形成する段階と、全面に中間層を形成する段階と、2次フォト レジストを塗布した後、前記1次フォト レジストを露光する際に用いたマスクと同様のマスクを用いた露光工程と現像工程で2次フォト レジスト パターンを形成する段階と、露出した中間層をエッチングし、前記1次フォトジスト パターンと重なる2次フォト レジスト パターンで垂直なプロファイルを有するレジストを形成する段階を含むレジスト パターン形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/26 511
, G03F 7/11
, G03F 7/20 521
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
H01L 21/30 573
, H01L 21/30 574
