特許

J-GLOBAL ID：200903095750876656

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 伊庭 智久 ,  小林 和男
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-112232
公開番号（公開出願番号）：特開平5-290587
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 タイマ回路の動作終了を判定し、ステータス・ポーリング機能を可能にする。【構成】 ステータスポーリング制御回路29を設け、消去モード時に活性化するステータス・ポーリングモード(SPM)信号により消去パルスERASEを立ち上げ、このとき出力端子にセンスアンプ8出力に代えてタイムアウト信号TOUT を出力し、該タイムアウト信号TOUT の上記消去パルスERASEの立ち下がりによる立ち上がりにより、タイマ回路40の動作終了を判定する。【効果】 次の消去ベリファイモードへの移行時間を短縮することができる。

請求項（抜粋）：

電気的に書き込み,消去可能な複数の不揮発性メモリトランジスタからなるメモリセルアレイと、行及び列選択手段により選択された所定のメモリトランジスタに情報を書き込む書き込み手段と、タイマにより所定時間動作し、選択された所定のメモリトランジスタの情報内容を消去する消去手段と、該消去後の上記メモリトランジスタのデータ書き込み及び消去状態を確認するデータ確認手段とを備えた不揮発性半導体記憶装置において、上記消去手段出力を受け、該出力が終了されたことを検出する消去終了検出手段を備え、上記データ確認手段を上記消去終了検出手段出力を受けて動作させるように構成したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。