特許
J-GLOBAL ID：200903095752133332

固体撮像装置及びその製造方法

発明者：
田中 浩司

田中 浩司 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-109180
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294654
出願日： 2005年04月05日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】 周辺配線領域と撮像領域との間の段差を小さく抑えながら、周辺配線領域での配線の低抵抗化を実現可能な固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上には、層間絶縁膜113、117および透明膜118が順次積層されている。そして、周辺配線領域における層間絶縁膜117と透明膜118との境界部分には、金属配線124が形成されている。 ここで、周辺配線領域では、層間絶縁膜113と層間絶縁膜117との境界部分であって、金属配線124の下部に相当する領域には、エッチングストップ膜121が形成されている。また、金属配線124とエッチングストップ膜121との間は、層間絶縁膜117に形成された溝123に金属配線124が延伸形成されている。 また、固体撮像装置10では、撮像領域における透明膜118の表面上にマイクロレンズが形成されている。 【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜と透明膜とが順に積層され、基板面方向に撮像領域と周辺配線領域とが形成されており、 前記撮像領域において、前記半導体基板中に受光部が形成されるとともに、前記透明膜上の前記受光部を覆う領域にマイクロレンズが形成されており、 前記周辺配線領域において、前記絶縁膜と透明膜との境界における一部領域に金属配線が形成された固体撮像装置であって、 前記周辺配線領域の前記金属配線の形成された部分では、前記絶縁膜における前記半導体基板側の界面に接する状態でエッチングストップ膜が形成されているとともに、前記絶縁膜の厚み方向に溝が形成されており、 前記金属配線は、前記溝内にも埋め込まれる状態で形成されており、前記エッチングストップ膜に対して接する状態となっている ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (1件)：
H01L 27/14
FI (1件)：
H01L27/14 D
Fターム (15件)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118CA04 ,  4M118CA34 ,  4M118CB13 ,  4M118DA03 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118GB03 ,  4M118GB08 ,  4M118GB11 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-326054   出願人：日本電気株式会社
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191509   出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
審査官引用 (6件)
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