特許
J-GLOBAL ID：200903095752184328
イオンミリング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-138924
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008230
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【目的】 イオンを放射しウェーハ等の被加工物の表面をエッチングするイオンミリング装置に関し、エッチング領域を拡大することで製造コストの低減を可能にしたイオンミリング装置の提供を目的とする。【構成】 イオンガン3の正面中央に配設された中央電極7と中央電極7の周囲を取り囲むリング電極8とを有し、イオンガン3からイオンを放射する際に中央電極7とリング電極8の間に直流電圧を印加することにより、中央電極7とリング電極8の間を通過しイオンガン3から回転テーブル5に向かうイオンの流れが、ステージ6に搭載された被加工物4の方に偏向するように構成する。
請求項（抜粋）：
被加工物(4) を搭載し自転する複数のステージ(6) が周縁に沿って配設された回転テーブル(5) と、該回転テーブル(5) の正面に配置されたイオンガン(3) とを有するイオンミリング装置であって、該イオンガン(3) の正面中央に配設された中央電極(7) と該中央電極(7) の周囲を取り囲むリング電極(8) とを有し、該イオンガン(3) からイオンを放射する際に該中央電極(7) と該リング電極(8) の間に直流電圧を印加することにより、該中央電極(7) と該リング電極(8) の間を通過し該イオンガン(3) から該回転テーブル(5) に向かう該イオンの流れが、該ステージ(6) に搭載された被加工物(4) の方に偏向するよう構成されてなることを特徴とするイオンミリング装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01J 37/08
, H01J 37/305
H01L 21/302 D
, H01L 21/302 B
