特許

J-GLOBAL ID：200903095752620551

半導体装置

発明者： 泉 聡志 ,  馬場 嘉朗
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-061389
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256545
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】酸化時にトレンチライン終端部で発生する応力を低減させることができ、もって転位の発生を抑制して耐圧特性の向上を図れる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体層にトレンチを形成し、このトレンチ内に酸化絶縁膜を介してゲート電極を埋め込んでなるトレンチライン1を備えた半導体装置において、隣接するトレンチライン1の終端部2を結合部10で一体に結合させている。

請求項（抜粋）：

半導体層にトレンチを形成し、このトレンチ内に酸化絶縁膜を介してゲート電極を埋め込んでなるトレンチラインを備えた半導体装置において、隣接するトレンチラインの終端部を結合させてなることを特徴とする半導体装置。

FI (3件)：

H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-057641   出願人：株式会社東芝