特許

J-GLOBAL ID：200903095767833896

強誘電体薄膜素子

発明者： 進藤 智 ,  小川 敏夫 ,  千田 厚生 ,  笠次 徹
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 宮▼崎▲ 主税 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-077171
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283756
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 上下の電極間における短絡が生じ難く、かつ強誘電体薄膜の強誘電性を十分に発揮し得る強誘電体薄膜素子を得る。【構成】 (100)面のシリコン基板2上に、(100)方向に配向されたMgO薄膜3、(100)配向されたNi-Cr-Al系合金薄膜よりなる下部電極4、(111)配向されたPbTiO3 薄膜よりなる強誘電体薄膜5及び上部電極6をこの順序で形成してなる強誘電体薄膜素子1。

請求項（抜粋）：

(100)面のシリコン基板と、前記シリコン基板上に形成されており、かつ(100)方向に配向されたMgO薄膜と、前記MgO薄膜上に形成されており、かつ(100)方向に配向されたNi-Cr-Al系合金薄膜もしくはNi-Al系合金薄膜よりなる下部電極と、前記下部電極上に形成されており、かつ(111)方向に配向されたPbTiO3 系またはPb(Ti1-X Zrx )O3 系強誘電体材料よりなる強誘電体薄膜と、前記強誘電体薄膜上に形成された上部電極とを備えることを特徴とする、強誘電体薄膜素子。

IPC (5件)：

H01L 37/02 ,  G01J 1/02 ,  G01J 5/02 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭56-094031
  
• 特開昭62-162369
  
• 特開平3-276615
  
• 特開昭60-175308