特許

J-GLOBAL ID：200903095771392802

半導体装置

発明者： 前田 美樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-216928
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044219
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 放熱特性のよい半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体基板11と、この半導体基板11の表面に形成された能動素子12と、この能動素子12の下部に設けられた複数の凹部15とを具備した半導体装置において、凹部15は、半導体基板11の裏面に格子状に配置されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板の表面に形成された能動素子と、前記半導体基板の裏面で前記能動素子の下部に設けられた複数の凹部とを具備した半導体装置において、前記凹部は格子状に配置されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 29/80 G ,  H01L 23/12 J ,  H01L 29/80 U

Fターム (12件)：

5F102FA00 ,  5F102FA04 ,  5F102FA10 ,  5F102GA11 ,  5F102GA16 ,  5F102GA17 ,  5F102GA18 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC30